Внутрішні SSD

ВиробникHP МодельM.2 2280 250GB S700 Артикул2LU79AA Тип накопичувачавнутрішній СеріяS700 Об'єм пам'яті250 GB Тип флеш-пам'яті3D TLC NAND Форм-факторM.2 Типорозмір М2M.2 2280 Інтерфейс підключенняSATA III (6Gb/s) Швидкість читання560 Mb/s Швидкість запису512 Mb/s Напрацювання на відмову2 млн.годин

МодельM.2 2280 250GB АртикулMZ-V7S250BW ВиробникSamsung Країна виробництваПівденна Корея Гарантія, міс60 Форм-факторM.2 Швидкість читання3500 Mb/s Об'єм пам'яті250 GB Швидкість запису2300 Mb/s Напрацювання на відмову1.5 млн. годин Інтерфейс підключенняPCI-Express NVMe Вага8 г Тип флеш-пам'ятіMLC

МодельM.2 2280 256GB АртикулAP256GAS2280P4 ВиробникApacer Країна виробництваТайвань Гарантія, міс36

(Збірка) Споживча потужність6 Вт TBW200 Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4 АртикулAP256GAS2280P4-1 Вага6.8 г ВиробникApacer Габарити80 x 22 x 2.38 мм Гарантія, міс36 Країна виробництваТайвань МодельM.2 2280 256GB Напрацювання на відмову1.5 млн. годин Об'єм пам'яті256 GB Також шукаютьдешеві Т

ВиробникApacer МодельM.2 2280 256GB АртикулAP256GAS2280P4U-1 Тип накопичувачавнутрішній Об'єм пам'яті256 GB Тип флеш-пам'яті3D NAND Форм-факторM.2 Типорозмір М2M.2 2280 Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4 Швидкість читання3500 Mb/s Швидкість запису1200 Mb/s Напрацювання на відмову1.5 млн. год

ВиробникApacer МодельM.2 2280 256GB АртикулAP256GAS2280P4UPRO-1 Тип накопичувачавнутрішній Об'єм пам'яті256 GB Тип флеш-пам'яті3D NAND Форм-факторM.2 Типорозмір М2M.2 2280 Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4 Швидкість читання3500 Mb/s Швидкість запису1200 Mb/s Напрацювання на відмову1.8 млн.

(Збірка) Споживча потужність6 Вт Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4 АртикулAP256GAS2280P4X-1 Вага7 г ВиробникApacer Габарити80 x 22 x 2.38 мм Гарантія, міс36 Країна виробництваТайвань МодельM.2 2280 256GB Напрацювання на відмову1.5 млн. годин Об'єм пам'яті256 GB СеріяAS2280P4 Також шукаютьSS

ВиробникHP МодельM.2 2280 256GB EX900 Plus Артикул35M32AA Тип накопичувачавнутрішній СеріяEX900 Plus Об'єм пам'яті256 GB Тип флеш-пам'яті3D NAND Форм-факторM.2 Типорозмір М2M.2 2280 Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4 Швидкість читання2000 Mb/s Швидкість запису1300 Mb/s Напрацювання на відмов

(Збірка) Споживча потужність6 Вт TBW125 Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4 АртикулLNM620X256G-RNNNG Вага9 г ВиробникLexar Габарити80 x 22 x 2.25 мм Гарантія, міс60 Колірчорний Країна виробництваСША МодельM.2 2280 256GB NM620 Напрацювання на відмову1.5 млн. годин Об'єм пам'яті256 GB СеріяNM62

(Збірка) Споживча потужність6 Вт Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4 АртикулP300P256GM28 Вага9 г ВиробникPatriot Габарити80 x 22 x 3.58 мм Гарантія, міс36 Країна виробництваСША МодельM.2 2280 256GB Об'єм пам'яті256 GB Також шукаютьдешеві Тип накопичувачавнутрішній Тип флеш-пам'яті3D TLC NAND

(Збірка) Споживча потужність6 Вт TBW120 Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4 АртикулP320P256GM28 Вага10 г ВиробникPatriot Габарити80 x 22 x 3.8 мм Гарантія, міс60 Колірчорний Країна виробництваСША МодельM.2 2280 256GB Об'єм пам'яті256 GB СеріяP320 Також шукаютьдля комп'ютера Тип накопичувачавн

ВиробникHP МодельM.2 2280 256GB S750 Артикул16L55AA Тип накопичувачавнутрішній СеріяS750 Об'єм пам'яті256 GB Тип флеш-пам'яті3D NAND Форм-факторM.2 Типорозмір М2M.2 2280 Інтерфейс підключенняSATA III (6Gb/s) Швидкість читання560 Mb/s Швидкість запису520 Mb/s Напрацювання на відмову2 млн.годин TBW

МодельM.2 2280 2TB 9100 PRO Heatsink АртикулMZ-VAP2T0CW ВиробникSamsung Країна виробництваПівденна Корея Гарантія, міс60 Форм-факторM.2 Швидкість читання14700 Mb/s Об'єм пам'яті2 TB Швидкість запису13400 Mb/s Напрацювання на відмову1.5 млн. годин Інтерфейс підключенняPCI Express 5.0 x4 Вага30 г Ти

МодельM.2 2280 2TB 9100 PRO АртикулMZ-VAP2T0BW ВиробникSamsung Країна виробництваПівденна Корея Гарантія, міс60 Форм-факторM.2 Швидкість читання14700 Mb/s Об'єм пам'яті2 TB Швидкість запису13400 Mb/s Напрацювання на відмову1.5 млн. годин Енергоспоживання7.6 Вт Інтерфейс підключенняPCI Express 5.0

ВиробникSamsung МодельM.2 2280 2TB 990 EVO Plus АртикулMZ-V9S2T0BW Тип накопичувачавнутрішній Серія990 EVO Plus Об'єм пам'яті2 TB Тип флеш-пам'яті3D TLC NAND Форм-факторM.2 Типорозмір М2M.2 2280 Інтерфейс підключенняPCI Express 5.0 x2 Швидкість читання7250 Mb/s Швидкість запису6300 Mb/s Напрацюван