Модули памяти к ноутбукам

ПроизводительG.Skill МодельDDR4 64GB (2x32GB) 3200 MHz Ripjaws АртикулF4-3200C22D-64GRS Тип памятиDDR4 Объем памяти64 ГБ Количество модулей в наборе2 Частота памяти3200 МГц ТаймингиCL22-22-22 Напряжение питания1.2 В Форм-фактор памяти260-pin SO-DIMM Проверка и коррекция ошибок (ECC)non-ECC Буфериз

МодельSoDIMM DDR 3 8GB 1600 MHz АртикулHMT41GS6MFR8C-PB ПроизводительHynix Страна производстваТайвань Гарантия, мес60 Тип памятиDDR3 Объем памяти8 ГБ Стандарты памятиPC3-12800 Количество модулей в наборе1 Частота памяти1600 МГц ТаймингиCL11 Напряжение питания1.5 В Проверка и коррекция ошибок (ECC)

(Сборка) Потребляемая мощность5 Вт АртикулGM800D2S6/2G Гарантия, мес36 Количество модулей в наборе1 МодельSoDIMM DDR2 2GB 800 MHz Напряжение питания1.8 В Объем памяти2 ГБ Охлаждениенет ПримечаниеПоставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов

МодельSoDIMM DDR2 2GB 800 MHz АртикулHYMP125S64CP8-S6 ПроизводительHynix Страна производстваТайвань Гарантия, мес12 Тип памятиDDR2 Объем памяти2 ГБ Стандарты памятиPC2-6400 Количество модулей в наборе1 Частота памяти800 МГц ТаймингиCL6 Напряжение питания1.8 В Форм-фактор памяти200-pin SO-DIMM Пров

ПроизводительGolden Memory МодельSoDIMM DDR2 4GB 800MHz АртикулGM800D2S6/4 Тип памятиDDR2 Объем памяти4 ГБ Количество модулей в наборе1 Частота памяти800 МГц ТаймингиCL6 Напряжение питания1.8 В Охлаждениенет (Сборка) Потребляемая мощность5 Вт ПримечаниеПоставка товара возможна в ОЕМ-версии. То ест

ПроизводительMushkin МодельSoDIMM DDR3 4GB 1333 MHz Essentials Артикул991647 Тип памятиDDR3 Объем памяти4 ГБ Количество модулей в наборе1 Стандарты памятиPC3-10600 Частота памяти1333 МГц ТаймингиCL9-9-9-24 Напряжение питания1.5 В Форм-фактор памяти204-pin SO-DIMM Проверка и коррекция ошибок (ECC)n

МодельSoDIMM DDR3 4GB 1333 MHz АртикулE30802S ПроизводительeXceleram Страна производстваТайвань Гарантия, мес120 Тип памятиDDR3 Объем памяти4 ГБ Стандарты памятиPC3-10666 Количество модулей в наборе1 Частота памяти1333 МГц ТаймингиCL9 Напряжение питания1.5 В Форм-фактор памяти204-pin SO-DIMM Прове

МодельSoDIMM DDR3 4GB 1333 MHz АртикулGR1333S364L9S/4G ПроизводительGoodram Страна производстваПольша Гарантия, мес60 Тип памятиDDR3 Объем памяти4 ГБ Стандарты памятиPC3-10600 Количество модулей в наборе1 Частота памяти1333 МГц ТаймингиCL9 Напряжение питания1.5 В Форм-фактор памяти204-pin SO-DIMM

МодельSoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz АртикулDT4G3DSDLD16 ПроизводительDato Страна производстваТайвань Гарантия, мес24 Тип памятиDDR3 Объем памяти4 ГБ Стандарты памятиPC3-12800 Количество модулей в наборе1 Частота памяти1600 МГц ТаймингиCL11 Напряжение питания1.35 В Форм-фактор памяти204-pin SO-DIMM Пров

МодельSoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz АртикулE30170A ПроизводительeXceleram Страна производстваТайвань Гарантия, мес120 Тип памятиDDR3 Объем памяти4 ГБ Стандарты памятиPC3-12800 Количество модулей в наборе1 Частота памяти1600 МГц ТаймингиCL11 Напряжение питания1.5 В Форм-фактор памяти204-pin SO-DIMM Пров

ПроизводительGolden Memory МодельSoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz АртикулGM16S11/4 Тип памятиDDR3 Объем памяти4 ГБ Количество модулей в наборе1 Стандарты памятиPC3-12800 Частота памяти1600 МГц ТаймингиCL11 Напряжение питания1.5 В Форм-фактор памяти204-pin SO-DIMM Проверка и коррекция ошибок (ECC)non-ECC Б

(Сборка) Потребляемая мощность5 Вт АртикулGR1600S364L11S/4G Гарантия, мес60 Количество модулей в наборе1 МодельSoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Напряжение питания1.5 В Объем памяти4 ГБ Охлаждениенет ПримечаниеПоставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих матер

МодельSoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz АртикулHMT351S6CFR8C-PB ПроизводительHynix Страна производстваТайвань Гарантия, мес12 Тип памятиDDR3 Объем памяти4 ГБ Стандарты памятиPC3-12800 Количество модулей в наборе1 Частота памяти1600 МГц ТаймингиCL11 Напряжение питания1.5 В Форм-фактор памяти204-pin SO-DIMM

ПроизводительPrologix МодельSoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz АртикулPRO4GB1600D3S Тип памятиDDR3 Объем памяти4 ГБ Количество модулей в наборе1 Стандарты памятиPC3-12800 Частота памяти1600 МГц ТаймингиCL11 Напряжение питания1.35 В Проверка и коррекция ошибок (ECC)non-ECC Буферизацияunbuffered Охлаждениенет

МодельSoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz АртикулM471B5173EBO-YKO ПроизводительSamsung Страна производстваТайвань Гарантия, мес36 Тип памятиDDR3 Объем памяти4 ГБ Стандарты памятиPC3-12800 Количество модулей в наборе1 Частота памяти1600 МГц ТаймингиCL11 Напряжение питания1.35 В Проверка и коррекция ошибок (EC