МодельM.2 2280 2TB SN850X with Heatsink
АртикулWDS200T2XHE-00BCA0
ВиробникWD
Країна виробництваСША
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання7300 Mb/s
Об'єм пам'яті2 TB
Швидкість запису6600 Mb/s
Напрацювання на відмову1.7 млн. годин
Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4
Тип флеш-пам'яті3D
(Збірка) Споживча потужність6 Вт
TBW450
Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4
АртикулAGAMMIXS60-2T-CS
ВиробникADATA
Габарити80 x 22 x 3.13 мм
Гарантія, міс60
Колірсріблястий
Країна виробництваТайвань
МодельM.2 2280 2TB XPG GAMMIX S60
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Об'єм пам'яті2 TB
Також
МодельM.2 2280 480GB
АртикулAP480GAST280-1
ВиробникApacer
Країна виробництваТайвань
Гарантія, міс36
Форм-факторM.2
Швидкість читання520 Mb/s
Об'єм пам'яті480 GB
Швидкість запису495 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Інтерфейс підключенняSATA III (6Gb/s)
Вага6.3 г
Тип флеш-пам'ятіTLC
Габар
МодельM.2 2280 480GB
АртикулTS480GMTS820S
ВиробникTranscend
Країна виробництваТайвань
Гарантія, міс36
Форм-факторM.2
Швидкість читання530 Mb/s
Об'єм пам'яті480 GB
Швидкість запису480 Mb/s
Напрацювання на відмову2 млн.годин
Інтерфейс підключенняSATA III (6Gb/s)
Вага8 г
Тип флеш-пам'яті3D NAND
Габа
МодельM.2 2280 4TB 9100 PRO Heatsink
АртикулMZ-VAP4T0CW
ВиробникSamsung
Країна виробництваПівденна Корея
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання14800 Mb/s
Об'єм пам'яті4 TB
Швидкість запису13400 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Інтерфейс підключенняPCI Express 5.0 x4
Вага30 г
Ти
МодельM.2 2280 4TB 9100 PRO
АртикулMZ-VAP4T0BW
ВиробникSamsung
Країна виробництваПівденна Корея
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання14800 Mb/s
Об'єм пам'яті4 TB
Швидкість запису13400 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Енергоспоживання7.6 Вт
Інтерфейс підключенняPCI Express 5.0