МодельM.2 2280 1TB S750
Артикул16L57AA
ВиробникHP
Країна виробництваКитай
Гарантія, міс36
Форм-факторM.2
Швидкість читання560 Mb/s
Об'єм пам'яті1 TB
Швидкість запису520 Mb/s
Напрацювання на відмову2 млн.годин
Енергоспоживання3.60 Вт
Інтерфейс підключенняSATA III (6Gb/s)
Вага5.5 г
Тип флеш-пам'яті3
ВиробникWD
МодельM.2 2280 1TB SA510
АртикулWDS100T3B0B
Тип накопичувачавнутрішній
СеріяSA510
Об'єм пам'яті1 TB
Тип флеш-пам'яті3D NAND
Форм-факторM.2
Типорозмір М2M.2 2280
Інтерфейс підключенняSATA III (6Gb/s)
Швидкість читання560 Mb/s
Швидкість запису560 Mb/s
Напрацювання на відмову1.75 млн. годи
(Збірка) Споживча потужність6 Вт
Інтерфейс підключенняPCI-Express NVMe
АртикулMZ-V7S1T0BW
Вага8 г
ВиробникSamsung
Габарити80.15 x 22.15 x 2.38 мм
Гарантія, міс60
Країна виробництваПівденна Корея
МодельM.2 2280 1TB
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Об'єм пам'яті1 TB
Серія970 EVO Plus
Також шука
(Збірка) Споживча потужність6 Вт
Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4
АртикулMZ-V8P1T0BW
Вага9 г
ВиробникSamsung
Габарити80.15 x 22.15 x 2.38 мм
Гарантія, міс60
Країна виробництваПівденна Корея
МодельM.2 2280 1TB
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Об'єм пам'яті1 TB
Серія980 PRO
Також шукають
МодельM.2 2280 1TB
АртикулMZ-V8P1T0CW
ВиробникSamsung
Країна виробництваПівденна Корея
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання7000 Mb/s
Об'єм пам'яті1 TB
Швидкість запису5000 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Енергоспоживання6.2 Вт
Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4
Вага30.5
ВиробникSamsung
МодельM.2 2280 1TB
АртикулMZ-V8V1T0BW
Тип накопичувачавнутрішній
Серія980
Об'єм пам'яті1 TB
Тип флеш-пам'яті3bit MLC
Форм-факторM.2
Типорозмір М2M.2 2280
Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4
Швидкість читання3500 Mb/s
Швидкість запису3000 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. год
МодельM.2 2280 1TB
АртикулMZ-V9P1T0BW
ВиробникSamsung
Країна виробництваПівденна Корея
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання7450 Mb/s
Об'єм пам'яті1 TB
Швидкість запису6900 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Енергоспоживання3.3 Вт
Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4
Вага9 г
МодельM.2 2280 1TB
АртикулMZ-V9P1T0CW
ВиробникSamsung
Країна виробництваПівденна Корея
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання7450 Mb/s
Об'єм пам'яті1 TB
Швидкість запису6900 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Енергоспоживання8.5 Вт
Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4
Тип флеш
МодельM.2 2280 1TB
АртикулMZ-V9P1T0GW
ВиробникSamsung
Країна виробництваПівденна Корея
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання7450 Mb/s
Об'єм пам'яті1 TB
Швидкість запису6900 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Енергоспоживання8.5 Вт
Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4
Вага28 г
МодельM.2 2280 1TB
АртикулZP1000CV3A001
ВиробникSeagate
Країна виробництваСША
Гарантія, міс36
Форм-факторM.2
Швидкість читання2400 Mb/s
Об'єм пам'яті1 TB
Швидкість запису1700 Mb/s
Напрацювання на відмову1.8 млн. годин
Енергоспоживанняробоче: 3.3 Вт
Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4
Вага9 г
Т
МодельM.2 2280 1TB SN700 RED
АртикулWDS100T1R0C
ВиробникWD
Країна виробництваСША
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання3430 Mb/s
Об'єм пам'яті1 TB
Швидкість запису3000 Mb/s
Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4
Вага8 г
Тип флеш-пам'яті3D TLC NAND
Габарити80 x 22 x 2.38 мм
СеріяSN700 RE
МодельM.2 2280 1TB Spatium M371
АртикулS78-440L870-P83
ВиробникMSI
Країна виробництваТайвань
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання2350 Mb/s
Об'єм пам'яті1 TB
Швидкість запису1700 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Енергоспоживання3.2 Вт
Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4
Ти
МодельM.2 2280 1TB SPATIUM M450
АртикулS78-440L980-P83
ВиробникMSI
Країна виробництваТайвань
Гарантія, міс60
Швидкість читання3600 Mb/s
Об'єм пам'яті1 TB
Швидкість запису3000 Mb/s
TBW600
Заряджаючи швидкістьВсесвіт MSI пропонує накопичувачі з блискавичною швидкістю та неймовірною продуктивністю.