(Збірка) Споживча потужність6 Вт
TBW180
Інтерфейс підключенняSATA III (6Gb/s)
АртикулTS500GMTS425S
Вага5 г
ВиробникTranscend
Габарити42 x 22 x 3.58 мм
Гарантія, міс36
Енергоспоживання3.3 Вт
Колірзелений
Країна виробництваТайвань
МодельM.2 2242 500GB
Напрацювання на відмову2 млн.годин
Об'єм пам'яті
МодельM.2 2280 128GB
АртикулAP128GAST280X-1
ВиробникApacer
Країна виробництваТайвань
Гарантія, міс36
Форм-факторM.2
Швидкість читання520 Mb/s
Об'єм пам'яті128 GB
Швидкість запису500 Mb/s
Інтерфейс підключенняSATA III (6Gb/s)
Тип флеш-пам'яті3D NAND
Габарити80 х 22 х 2.50 мм
Тип накопичувачавнутрі
(Збірка) Споживча потужність6 Вт
Інтерфейс підключенняSATA III (6Gb/s)
АртикулLNM100-128RB
Вага9 г
ВиробникLexar
Габарити80 x 22 x 2.25 мм
Гарантія, міс36
Країна виробництваТайвань
МодельM.2 2280 128GB NM100
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Об'єм пам'яті128 GB
СеріяNM100
Також шукаютьдля ком
(Збірка) Споживча потужність6 Вт
Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4
АртикулP300P128GM28
Вага9 г
ВиробникPatriot
Габарити80 x 22 x 3.58 мм
Гарантія, міс36
Країна виробництваСША
МодельM.2 2280 128GB
Об'єм пам'яті128 GB
Також шукаютьдешеві
Тип накопичувачавнутрішній
Тип флеш-пам'яті3D TLC NAND
МодельM.2 2280 1TB 9100 PRO Heatsink
АртикулMZ-VAP1T0CW
ВиробникSamsung
Країна виробництваПівденна Корея
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання14700 Mb/s
Об'єм пам'яті1 TB
Швидкість запису13300 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Інтерфейс підключенняPCI Express 5.0 x4
Вага30 г
Ти
МодельM.2 2280 1TB 9100 PRO Heatsink
АртикулMZ-VAP1T0CW
ВиробникSamsung
Країна виробництваПівденна Корея
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання14700 Mb/s
Об'єм пам'яті1 TB
Швидкість запису13300 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Інтерфейс підключенняPCI Express 5.0 x4
Вага30 г
Ти
ВиробникSamsung
МодельM.2 2280 1TB
АртикулMZ-V8V1T0BW
Тип накопичувачавнутрішній
Серія980
Об'єм пам'яті1 TB
Тип флеш-пам'яті3bit MLC
Форм-факторM.2
Типорозмір М2M.2 2280
Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4
Швидкість читання3500 Mb/s
Швидкість запису3000 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. год
МодельM.2 2280 1TB 990 EVO Plus
АртикулMZ-V9S1T0BW
ВиробникSamsung
Країна виробництваПівденна Корея
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання7150 Mb/s
Об'єм пам'яті1 TB
Швидкість запису6300 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Енергоспоживанняробоче: 4.3 Вт, очікування: 0.6 Вт
Інтерфе
(Збірка) Споживча потужність6 Вт
TBW600
Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4
АртикулMZ-V9P1T0BW
Вага9 г
ВиробникSamsung
Габарити80 x 22 x 2.3 мм
Гарантія, міс60
Енергоспоживання3.3 Вт
Колірчорний
Країна виробництваПівденна Корея
МодельM.2 2280 1TB
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Об'єм пам
МодельM.2 2280 1TB
АртикулMZ-V9P1T0CW
ВиробникSamsung
Країна виробництваПівденна Корея
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання7450 Mb/s
Об'єм пам'яті1 TB
Швидкість запису6900 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Енергоспоживання8.5 Вт
Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4
Тип флеш