Внутрішні SSD

АртикулSDDPMQD-256G ВиробникWD Гарантія, міс36 Країна виробництваСША МодельM.2 2242 256GB BLACK SN740 АртикулSDDPMQD-256G ВиробникWD Гарантія, міс36 Країна виробництваСША МодельM.2 2242 256GB BLACK SN740

АртикулMZAL8256HDJD-00BL2 ВиробникSamsung Гарантія, міс36 Країна виробництваТайвань МодельM.2 2242 256GB АртикулMZAL8256HDJD-00BL2 ВиробникSamsung Гарантія, міс36 Країна виробництваТайвань МодельM.2 2242 256GB

(Збірка) Споживча потужність6 Вт Інтерфейс підключенняSATA III (6Gb/s) АртикулLNM100-128RB Вага9 г ВиробникLexar Габарити80 x 22 x 2.25 мм Гарантія, міс36 Країна виробництваТайвань МодельM.2 2280 128GB NM100 Напрацювання на відмову1.5 млн. годин Об'єм пам'яті128 GB СеріяNM100 Також шукаютьдля ком

(Збірка) Споживча потужність6 Вт Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4 АртикулP300P128GM28 Вага9 г ВиробникPatriot Габарити80 x 22 x 3.58 мм Гарантія, міс36 Країна виробництваСША МодельM.2 2280 128GB Об'єм пам'яті128 GB Також шукаютьдешеві Тип накопичувачавнутрішній Тип флеш-пам'яті3D TLC NAND

МодельM.2 2280 128GB S11 АртикулPSSBN128GA87BCO ВиробникHP Країна виробництваКитай Гарантія, міс36

МодельM.2 2280 1TB 9100 PRO Heatsink АртикулMZ-VAP1T0CW ВиробникSamsung Країна виробництваПівденна Корея Гарантія, міс60 Форм-факторM.2 Швидкість читання14700 Mb/s Об'єм пам'яті1 TB Швидкість запису13300 Mb/s Напрацювання на відмову1.5 млн. годин Інтерфейс підключенняPCI Express 5.0 x4 Вага30 г Ти

МодельM.2 2280 1TB 9100 PRO АртикулMZ-VAP1T0BW ВиробникSamsung Країна виробництваПівденна Корея Гарантія, міс60 МодельM.2 2280 1TB 9100 PRO АртикулMZ-VAP1T0BW ВиробникSamsung Країна виробництваПівденна Корея Гарантія, міс60

МодельM.2 2280 1TB 990 EVO Plus АртикулMZ-V9S1T0BW ВиробникSamsung Країна виробництваПівденна Корея Гарантія, міс60 Форм-факторM.2 Швидкість читання7150 Mb/s Об'єм пам'яті1 TB Швидкість запису6300 Mb/s Напрацювання на відмову1.5 млн. годин Енергоспоживанняробоче: 4.3 Вт, очікування: 0.6 Вт Інтерфе

(Збірка) Споживча потужність6 Вт TBW600 Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4 АртикулMZ-V9P1T0BW Вага9 г ВиробникSamsung Габарити80 x 22 x 2.3 мм Гарантія, міс60 Енергоспоживання3.3 Вт Колірчорний Країна виробництваПівденна Корея МодельM.2 2280 1TB Напрацювання на відмову1.5 млн. годин Об'єм пам

(Збірка) Споживча потужність8.5 Вт TBW600 Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4 АртикулMZ-V9P1T0CW ВиробникSamsung Габарити80 x 24.3 x 8.2 мм Гарантія, міс60 Енергоспоживання8.5 Вт Колірчорний Країна виробництваПівденна Корея МодельM.2 2280 1TB Напрацювання на відмову1.5 млн. годин Об'єм пам'яті

ВиробникADATA МодельM.2 2280 1TB АртикулAGAMMIXS70B-1T-CS Тип накопичувачавнутрішній СеріяS70 Об'єм пам'яті1 TB Тип флеш-пам'яті3D NAND Форм-факторM.2 Типорозмір М2M.2 2280 Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4 Швидкість читання7400 Mb/s Швидкість запису5500 Mb/s Напрацювання на відмову2 млн.год

МодельM.2 2280 1TB АртикулAP1TBAS2280F4L-1 ВиробникApacer Країна виробництваТайвань Гарантія, міс36 МодельM.2 2280 1TB АртикулAP1TBAS2280F4L-1 ВиробникApacer Країна виробництваТайвань Гарантія, міс36

МодельM.2 2280 1TB АртикулAP1TBAS2280P4UPRO ВиробникApacer Країна виробництваТайвань Гарантія, міс60 Форм-факторM.2 Швидкість читання3500 Mb/s Об'єм пам'яті1 TB Швидкість запису3000 Mb/s Напрацювання на відмову1.8 млн. годин Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4 Тип флеш-пам'яті3D NAND Габарити8

ВиробникApacer МодельM.2 2280 1TB АртикулAP1TBAS2280P4UPRO-1 Тип накопичувачавнутрішній Об'єм пам'яті1 TB Тип флеш-пам'яті3D NAND Форм-факторM.2 Типорозмір М2M.2 2280 Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4 Швидкість читання3500 Mb/s Швидкість запису3000 Mb/s Напрацювання на відмову1.8 млн. годин

(Збірка) Споживча потужність6 Вт TBW800 Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4 АртикулAP1TBAS2280P4X-1 Вага7 г ВиробникApacer Габарити80 x 22 x 2.38 мм Гарантія, міс36 Країна виробництваТайвань МодельM.2 2280 1TB Напрацювання на відмову1.5 млн. годин Об'єм пам'яті1 TB СеріяAS2280P4 Також шукаютьS