Внутрішні SSD

ВиробникSOLIDIGM МодельM.2 2280 1TB P41 PLUS АртикулSSDPFKNU010TZX1 Тип накопичувачавнутрішній СеріяP41 PLUS SOLIDIGM Об'єм пам'яті1 TB Тип флеш-пам'яті3D QLC Форм-факторM.2 Типорозмір М2M.2 2280 Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4 Швидкість читання4125 MB/s Швидкість запису2950 Mb/s TBW400 (З

(Збірка) Споживча потужність6 Вт Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4 АртикулP300P1TBM28 Вага9 г ВиробникPatriot Габарити80 x 22 x 3.58 мм Гарантія, міс36 Країна виробництваСША МодельM.2 2280 1TB Об'єм пам'яті1 TB Також шукаютьSSD для ноутбука Тип накопичувачавнутрішній Тип флеш-пам'яті3D TLC N

МодельM.2 2280 1TB АртикулP400LP1KGM28H ВиробникPatriot Країна виробництваСША Гарантія, міс60 Форм-факторM.2 Швидкість читання3500 Mb/s Об'єм пам'яті1 TB Швидкість запису2700 Mb/s Енергоспоживанняробоче: 2.38 Вт, очікування: 0.38 Вт Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4 Вага9 г Тип флеш-пам'яті3

(Збірка) Споживча потужність6 Вт Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4 АртикулMZVL21T0HCLR-00B00 Вага10 г ВиробникSamsung Габарити80.15 x 22.15 x 2.38 мм Гарантія, міс36 Колірзелений Країна виробництваСША МодельM.2 2280 1TB PM9A1 Напрацювання на відмову1.5 млн. годин Об'єм пам'яті1 TB СеріяPM9A1

ВиробникSamsung МодельM.2 2280 1TB PM9B1 АртикулMZVL41T0HBLB-00B07 Тип накопичувачавнутрішній СеріяPM9B1 Об'єм пам'яті1 TB Тип флеш-пам'ятіV-NAND 3bit MLC Форм-факторM.2 Типорозмір М2M.2 2280 Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4 Швидкість читання3600 Mb/s Швидкість запису3000 Mb/s (Збірка) Спож

МодельM.2 2280 1TB PX500 АртикулSSDPR-PX500-01T-80-G2 ВиробникGoodram Країна виробництваСША Гарантія, міс36 Форм-факторM.2 Об'єм пам'яті1 TB Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4 Вага10 г Тип флеш-пам'яті3D TLC Габарити80 х 22 х 3.5 мм СеріяPX500 Тип накопичувачавнутрішній (Збірка) Споживча поту

МодельM.2 2280 1TB S750 Артикул16L57AA ВиробникHP Країна виробництваКитай Гарантія, міс36 Форм-факторM.2 Швидкість читання560 Mb/s Об'єм пам'яті1 TB Швидкість запису520 Mb/s Напрацювання на відмову2 млн.годин Енергоспоживання3.60 Вт Інтерфейс підключенняSATA III (6Gb/s) Вага5.5 г Тип флеш-пам'яті3

ВиробникWD МодельM.2 2280 1TB SA510 АртикулWDS100T3B0B Тип накопичувачавнутрішній СеріяSA510 Об'єм пам'яті1 TB Тип флеш-пам'яті3D NAND Форм-факторM.2 Типорозмір М2M.2 2280 Інтерфейс підключенняSATA III (6Gb/s) Швидкість читання560 Mb/s Швидкість запису560 Mb/s Напрацювання на відмову1.75 млн. годи

(Збірка) Споживча потужність6 Вт Інтерфейс підключенняPCI-Express NVMe АртикулMZ-V7S1T0BW Вага8 г ВиробникSamsung Габарити80.15 x 22.15 x 2.38 мм Гарантія, міс60 Країна виробництваПівденна Корея МодельM.2 2280 1TB Напрацювання на відмову1.5 млн. годин Об'єм пам'яті1 TB Серія970 EVO Plus Також шука

(Збірка) Споживча потужність6 Вт Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4 АртикулMZ-V8P1T0BW Вага9 г ВиробникSamsung Габарити80.15 x 22.15 x 2.38 мм Гарантія, міс60 Країна виробництваПівденна Корея МодельM.2 2280 1TB Напрацювання на відмову1.5 млн. годин Об'єм пам'яті1 TB Серія980 PRO Також шукають

МодельM.2 2280 1TB АртикулMZ-V8P1T0CW ВиробникSamsung Країна виробництваПівденна Корея Гарантія, міс60 Форм-факторM.2 Швидкість читання7000 Mb/s Об'єм пам'яті1 TB Швидкість запису5000 Mb/s Напрацювання на відмову1.5 млн. годин Енергоспоживання6.2 Вт Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4 Вага30.5

ВиробникSamsung МодельM.2 2280 1TB АртикулMZ-V8V1T0BW Тип накопичувачавнутрішній Серія980 Об'єм пам'яті1 TB Тип флеш-пам'яті3bit MLC Форм-факторM.2 Типорозмір М2M.2 2280 Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4 Швидкість читання3500 Mb/s Швидкість запису3000 Mb/s Напрацювання на відмову1.5 млн. год

МодельM.2 2280 1TB АртикулMZ-V9P1T0BW ВиробникSamsung Країна виробництваПівденна Корея Гарантія, міс60 Форм-факторM.2 Швидкість читання7450 Mb/s Об'єм пам'яті1 TB Швидкість запису6900 Mb/s Напрацювання на відмову1.5 млн. годин Енергоспоживання3.3 Вт Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4 Вага9 г

МодельM.2 2280 1TB АртикулMZ-V9P1T0CW ВиробникSamsung Країна виробництваПівденна Корея Гарантія, міс60 Форм-факторM.2 Швидкість читання7450 Mb/s Об'єм пам'яті1 TB Швидкість запису6900 Mb/s Напрацювання на відмову1.5 млн. годин Енергоспоживання8.5 Вт Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4 Тип флеш

МодельM.2 2280 1TB АртикулMZ-V9P1T0GW ВиробникSamsung Країна виробництваПівденна Корея Гарантія, міс60 Форм-факторM.2 Швидкість читання7450 Mb/s Об'єм пам'яті1 TB Швидкість запису6900 Mb/s Напрацювання на відмову1.5 млн. годин Енергоспоживання8.5 Вт Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4 Вага28 г