ВиробникApacer
МодельM.2 2280 256GB
АртикулAP256GAS2280P4U-1
Тип накопичувачавнутрішній
Об'єм пам'яті256 GB
Тип флеш-пам'яті3D NAND
Форм-факторM.2
Типорозмір М2M.2 2280
Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4
Швидкість читання3500 Mb/s
Швидкість запису1200 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. год
(Збірка) Споживча потужність6 Вт
Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4
АртикулAP256GAS2280P4X-1
Вага7 г
ВиробникApacer
Габарити80 x 22 x 2.38 мм
Гарантія, міс36
Країна виробництваТайвань
МодельM.2 2280 256GB
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Об'єм пам'яті256 GB
СеріяAS2280P4
Також шукаютьSS
ВиробникHP
МодельM.2 2280 256GB EX900 Plus
Артикул35M32AA
Тип накопичувачавнутрішній
СеріяEX900 Plus
Об'єм пам'яті256 GB
Тип флеш-пам'яті3D NAND
Форм-факторM.2
Типорозмір М2M.2 2280
Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4
Швидкість читання2000 Mb/s
Швидкість запису1300 Mb/s
Напрацювання на відмов
МодельM.2 2280 256GB NM620
АртикулLNM620X256G-RNNNG
ВиробникLexar
Країна виробництваСША
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання3300 Mb/s
Об'єм пам'яті256 GB
Швидкість запису1300 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4
Вага9 г
Тип флеш-пам'яті3D
(Збірка) Споживча потужність6 Вт
Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4
АртикулP300P256GM28
Вага9 г
ВиробникPatriot
Габарити80 x 22 x 3.58 мм
Гарантія, міс36
Країна виробництваСША
МодельM.2 2280 256GB
Об'єм пам'яті256 GB
Також шукаютьдешеві
Тип накопичувачавнутрішній
Тип флеш-пам'яті3D TLC NAND
(Збірка) Споживча потужність6 Вт
TBW1200
Інтерфейс підключенняPCI Express 5.0 x4
АртикулMZ-VAP2T0BW
Вага9 г
ВиробникSamsung
Габарити80.15 x 22.15 x 2.38 мм
Гарантія, міс60
Енергоспоживання7.6 Вт
Колірчорний
Країна виробництваПівденна Корея
МодельM.2 2280 2TB 9100 PRO
Напрацювання на відмову1.5 млн
МодельM.2 2280 2TB 990 EVO Plus
АртикулMZ-V9S2T0BW
ВиробникSamsung
Країна виробництваПівденна Корея
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання7250 Mb/s
Об'єм пам'яті2 TB
Швидкість запису6300 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Енергоспоживанняробоче: 4.3 Вт, очікування: 0.6 Вт
Інтерфе
МодельM.2 2280 2TB 990 EVO
АртикулMZ-V9E2T0BW
ВиробникSamsung
Країна виробництваПівденна Корея
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання5000 Mb/s
Об'єм пам'яті2 TB
Швидкість запису4200 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Інтерфейс підключенняPCI Express 5.0 x4
Вага9 г
Тип флеш-пам'ят
(Збірка) Споживча потужність6 Вт
TBW1200
Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4
АртикулMZ-V9P2T0BW
Вага9 г
ВиробникSamsung
Габарити80 x 22 x 2.3 мм
Гарантія, міс60
Енергоспоживання3.3 Вт
Колірчорний
Країна виробництваПівденна Корея
МодельM.2 2280 2TB
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Об'єм па
МодельM.2 2280 2TB
АртикулMZ-V9P2T0CW
ВиробникSamsung
Країна виробництваПівденна Корея
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання7450 Mb/s
Об'єм пам'яті2 TB
Швидкість запису6900 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Енергоспоживання8.5 Вт
Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4
Тип флеш