МодельM.2 2280 120GB
АртикулAP120GAST280-1
ВиробникApacer
Країна виробництваТайвань
Гарантія, міс36
Форм-факторM.2
Швидкість читання500 Mb/s
Об'єм пам'яті120 GB
Швидкість запису470 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Інтерфейс підключенняSATA III (6Gb/s)
Вага6.3 г
Тип флеш-пам'ятіTLC
Габар
МодельM.2 2280 1TB 9100 PRO Heatsink
АртикулMZ-VAP1T0CW
ВиробникSamsung
Країна виробництваПівденна Корея
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання14700 Mb/s
Об'єм пам'яті1 TB
Швидкість запису13300 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Інтерфейс підключенняPCI Express 5.0 x4
Вага30 г
Ти
МодельM.2 2280 1TB 9100 PRO Heatsink
АртикулMZ-VAP1T0CW
ВиробникSamsung
Країна виробництваПівденна Корея
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання14700 Mb/s
Об'єм пам'яті1 TB
Швидкість запису13300 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Інтерфейс підключенняPCI Express 5.0 x4
Вага30 г
Ти
МодельM.2 2280 1TB 9100 PRO
АртикулMZ-VAP1T0BW
ВиробникSamsung
Країна виробництваПівденна Корея
Гарантія, міс60
МодельM.2 2280 1TB 9100 PRO
АртикулMZ-VAP1T0BW
ВиробникSamsung
Країна виробництваПівденна Корея
Гарантія, міс60
ВиробникSamsung
МодельM.2 2280 1TB
АртикулMZ-V8V1T0BW
Тип накопичувачавнутрішній
Серія980
Об'єм пам'яті1 TB
Тип флеш-пам'яті3bit MLC
Форм-факторM.2
Типорозмір М2M.2 2280
Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4
Швидкість читання3500 Mb/s
Швидкість запису3000 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. год
ВиробникSamsung
МодельM.2 2280 1TB 990 EVO Plus
АртикулMZ-V9S1T0BW
Тип накопичувачавнутрішній
Серія990 EVO Plus
Об'єм пам'яті1 TB
Тип флеш-пам'яті3D TLC NAND
Форм-факторM.2
Типорозмір М2M.2 2280
Інтерфейс підключенняPCI Express 5.0 x2
Швидкість читання7150 Mb/s
Швидкість запису6300 Mb/s
Напрацюван
МодельM.2 2280 1TB 990 EVO
АртикулMZ-V9E1T0BW
ВиробникSamsung
Країна виробництваПівденна Корея
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання5000 Mb/s
Об'єм пам'яті1 TB
Швидкість запису4200 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Інтерфейс підключенняPCI Express 5.0 x4
Вага9 г
Тип флеш-пам'ят
(Збірка) Споживча потужність6 Вт
TBW600
Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4
АртикулMZ-V9P1T0BW
Вага9 г
ВиробникSamsung
Габарити80 x 22 x 2.3 мм
Гарантія, міс60
Енергоспоживання3.3 Вт
Колірчорний
Країна виробництваПівденна Корея
МодельM.2 2280 1TB
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Об'єм пам
МодельM.2 2280 1TB
АртикулMZ-V9P1T0CW
ВиробникSamsung
Країна виробництваПівденна Корея
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання7450 Mb/s
Об'єм пам'яті1 TB
Швидкість запису6900 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Енергоспоживання8.5 Вт
Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4
Тип флеш
МодельM.2 2280 1TB
АртикулMZ-V9P1T0GW
ВиробникSamsung
Країна виробництваПівденна Корея
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання7450 Mb/s
Об'єм пам'яті1 TB
Швидкість запису6900 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Енергоспоживання8.5 Вт
Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4
Вага28 г
(Збірка) Споживча потужність6 Вт
TBW260
Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4
АртикулALEG-710-1TCS
Вага9 г
ВиробникADATA
Габарити80 х 22 х 2.15 мм
Гарантія, міс36
Колірсиній
Країна виробництваТайвань
МодельM.2 2280 1TB
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Об'єм пам'яті1 TB
СеріяLEGEND 710
Також
МодельM.2 2280 1TB
АртикулSLEG-900-1TCS
ВиробникADATA
Країна виробництваТайвань
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання7000 Mb/s
Об'єм пам'яті1 TB
Швидкість запису4700 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4
Вага10.6 г
Тип флеш-пам'яті3D NAND
Габ