МодельM.2 2242 2TB
АртикулTS2TMTS425S
ВиробникTranscend
Країна виробництваТайвань
Гарантія, міс36
Форм-факторM.2
Напрацювання на відмову2 млн.годин
Енергоспоживання3.3 Вт
Інтерфейс підключенняSATA III (6Gb/s)
Вага5 г
Тип флеш-пам'яті3D NAND
Габарити42 x 22 x 3.58 мм
Тип накопичувачавнутрішній
(Збі
МодельM.2 2242 500GB
АртикулTS500GMTS425S
ВиробникTranscend
Країна виробництваТайвань
Гарантія, міс36
Форм-факторM.2
Швидкість читання530 Mb/s
Об'єм пам'яті500 GB
Швидкість запису480 Mb/s
Напрацювання на відмову2 млн.годин
Енергоспоживання3.3 Вт
Інтерфейс підключенняSATA III (6Gb/s)
Вага5 г
Тип фл
МодельM.2 2242 512GB
АртикулTS512GMTS430S
ВиробникTranscend
Країна виробництваТайвань
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання560 Mb/s
Об'єм пам'яті512 GB
Швидкість запису500 Mb/s
Інтерфейс підключенняSATA III (6Gb/s)
Вага6 г
Тип флеш-пам'яті3D NAND
Габарити42 x 22 x 3.58 мм
Серія430S
Тип
(Збірка) Споживча потужність6 Вт
TBW70
Інтерфейс підключенняSATA III (6Gb/s)
АртикулAP120GAST280-1
Вага6.3 г
ВиробникApacer
Габарити80 x 22 x 3.8 мм
Гарантія, міс36
Колірсиній
Країна виробництваТайвань
МодельM.2 2280 120GB
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Об'єм пам'яті120 GB
Також шукаютьдеш
ВиробникSamsung
МодельM.2 2280 1TB
АртикулMZ-V8V1T0BW
Тип накопичувачавнутрішній
Серія980
Об'єм пам'яті1 TB
Тип флеш-пам'яті3bit MLC
Форм-факторM.2
Типорозмір М2M.2 2280
Інтерфейс підключенняPCI Express 3.0 x4
Швидкість читання3500 Mb/s
Швидкість запису3000 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. год
МодельM.2 2280 1TB 990 EVO Plus
АртикулMZ-V9S1T0BW
ВиробникSamsung
Країна виробництваПівденна Корея
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання7150 Mb/s
Об'єм пам'яті1 TB
Швидкість запису6300 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Енергоспоживанняробоче: 4.3 Вт, очікування: 0.6 Вт
Інтерфе
МодельM.2 2280 1TB 990 EVO
АртикулMZ-V9E1T0BW
ВиробникSamsung
Країна виробництваПівденна Корея
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання5000 Mb/s
Об'єм пам'яті1 TB
Швидкість запису4200 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Інтерфейс підключенняPCI Express 5.0 x4
Вага9 г
Тип флеш-пам'ят
(Збірка) Споживча потужність6 Вт
TBW600
Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4
АртикулMZ-V9P1T0BW
Вага9 г
ВиробникSamsung
Габарити80 x 22 x 2.3 мм
Гарантія, міс60
Енергоспоживання3.3 Вт
Колірчорний
Країна виробництваПівденна Корея
МодельM.2 2280 1TB
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Об'єм пам
МодельM.2 2280 1TB
АртикулMZ-V9P1T0CW
ВиробникSamsung
Країна виробництваПівденна Корея
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання7450 Mb/s
Об'єм пам'яті1 TB
Швидкість запису6900 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Енергоспоживання8.5 Вт
Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4
Тип флеш
МодельM.2 2280 1TB
АртикулMZ-V9P1T0GW
ВиробникSamsung
Країна виробництваПівденна Корея
Гарантія, міс60
Форм-факторM.2
Швидкість читання7450 Mb/s
Об'єм пам'яті1 TB
Швидкість запису6900 Mb/s
Напрацювання на відмову1.5 млн. годин
Енергоспоживання8.5 Вт
Інтерфейс підключенняPCI Express 4.0 x4
Вага28 г