(Сборка) Потребляемая мощность | 6 Вт |
TBW | 2400 |
Артикул | MZ-VAP4T0BW |
Вес | 9 г |
Габариты | 80.15 x 22.15 x 2.38 мм |
Гарантия, мес | 60 |
Интерфейс подключения | PCI Express 5.0 x4 |
Модель | M.2 2280 4TB 9100 PRO |
Наработка на отказ | 1.5 млн.часов |
Объем памяти | 4 TB |
Производитель | Samsung |
Серия | 9100 PRO |
Скорость записи | 13400 Mb/s |
Скорость чтения | 14800 Mb/s |
Страна производства | Южная Корея |
Также ищут | для компьютера |
Тип накопителя | внутренний |
Тип флеш-памяти | 3D TLC NAND |
Типоразмер М2 | M.2 2280 |
Толщина | 2.38 мм |
Форм-фактор | M.2 |
Цвет | черный |
Энергопотребление | 7.6 Вт |
(Сборка) Потребляемая мощность | 6 Вт |
TBW | 2400 |
Артикул | MZ-VAP4T0BW |
Вес | 9 г |
Габариты | 80.15 x 22.15 x 2.38 мм |
Гарантия, мес | 60 |
Интерфейс подключения | PCI Express 5.0 x4 |
Модель | M.2 2280 4TB 9100 PRO |
Наработка на отказ | 1.5 млн.часов |
Объем памяти | 4 TB |
Производитель | Samsung |
Серия | 9100 PRO |
Скорость записи | 13400 Mb/s |
Скорость чтения | 14800 Mb/s |
Страна производства | Южная Корея |
Также ищут | для компьютера |
Тип накопителя | внутренний |
Тип флеш-памяти | 3D TLC NAND |
Типоразмер М2 | M.2 2280 |
Толщина | 2.38 мм |
Форм-фактор | M.2 |
Цвет | черный |
Энергопотребление | 7.6 Вт |